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R6011ENX  与  IPA60R299CP  区别

型号 R6011ENX IPA60R299CP
唯样编号 A3-R6011ENX A-IPA60R299CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 270mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W 33W
Qg-栅极电荷 - 29nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 670pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 11A ±20V 40W 390mΩ@3.8A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 500 当前型号
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 8,000 对比
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

¥3.74 

阶梯数 价格
20: ¥3.74
100: ¥2.992
1,000: ¥2.772
2,243 对比
STFU15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 1,000 对比
AOTF11S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel ±30V 399 mΩ @ 3.8A,10V TO-220-3F 38W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
AOTF20N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 20A 50W 370mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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