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STB60NF06T4  与  IRF1010ESTRLPBF  区别

型号 STB60NF06T4 IRF1010ESTRLPBF
唯样编号 A-STB60NF06T4 A-IRF1010ESTRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Single HexFet 60 V 200 W 130 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 84A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404

¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
400: ¥4.4396
800: ¥4.073
0 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 0 对比
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