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SI7121ADN-T1-GE3  与  BSZ120P03NS3GATMA1  区别

型号 SI7121ADN-T1-GE3 BSZ120P03NS3GATMA1
唯样编号 A-SI7121ADN-T1-GE3 A-BSZ120P03NS3GATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3) MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),52W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 2.5V -
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3360pF @ 15V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 PowerPak1212-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 18A -
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.1V @ 73uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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