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SI2305CDS-T1-GE3  与  NTR2101PT1G  区别

型号 SI2305CDS-T1-GE3 NTR2101PT1G
唯样编号 A-SI2305CDS-T1-GE3 A32-NTR2101PT1G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ 52m Ohms@3.5A,4.5V
上升时间 20ns -
Qg-栅极电荷 30nC -
栅极电压Vgs 400mV ±8V
正向跨导 - 最小值 17S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 3.7A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 10ns -
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 8V 8V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 960mW(Ta)
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 - P-Channel
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 960pF @ 4V 1173pF @ 4V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 8V 15nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 20ns -
库存与单价
库存 178 14
工厂交货期 3 - 5天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.442
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.8A 1.7W 35mΩ 8V 400mV

暂无价格 178 当前型号
NTR2101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
14,949 对比
NTR2101PT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A

暂无价格 0 对比

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