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RK7002BT116  与  2N7002K,215  区别

型号 RK7002BT116 2N7002K,215
唯样编号 A-RK7002BT116 A32-2N7002K,215
制造商 ROHM Semiconductor NXP Semiconductors
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 200mW(Ta) -
功率 - 830mW(Ta)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.9 欧姆 @ 500mA,10V
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 15pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±15V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 SST3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ) -65°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 340mA(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 250mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 250mA(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 40pF @ 10V
库存与单价
库存 0 20,391
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥0.3067
100+ :  ¥0.274
1,000+ :  ¥0.252
3,000+ :  ¥0.225
9,000+ :  ¥0.2115
15,000+ :  ¥0.1988
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SST3

暂无价格 0 当前型号
2N7002K,215 NXP Semiconductors 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.3067 

阶梯数 价格
10: ¥0.3067
100: ¥0.274
1,000: ¥0.252
3,000: ¥0.225
9,000: ¥0.2115
15,000: ¥0.1988
20,391 对比
BSS138N Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

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