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IRFZ44VZSPBF  与  IPB50N10S3L16ATMA1  区别

型号 IRFZ44VZSPBF IPB50N10S3L16ATMA1
唯样编号 A-IRFZ44VZSPBF A-IPB50N10S3L16ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4180pF @ 25V
封装/外壳 - TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 57A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 64nC @ 10V
长度 10.67mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1690pF @ 25V -
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 35 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 92W -
晶体管配置 -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 60uA
系列 HEXFET -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
典型接通延迟时间 14 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ44VZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

暂无价格 0 当前型号
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BUK9614-60E_SOT404

¥12.4316 

阶梯数 价格
180: ¥12.4316
400: ¥9.7122
800: ¥7.9608
0 对比

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