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IRFP260MPBF  与  IXFH50N20  区别

型号 IRFP260MPBF IXFH50N20
唯样编号 A-IRFP260MPBF A32-IXFH50N20-5
制造商 Infineon Technologies IXYS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 300 W 234 nC Through Hole Hexfet Power Mosfet - TO-247AC Single N-Channel 200 Vds 45 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@28A,10V 45mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AD
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 50A
系列 HEXFET® HiPerFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 4mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4057pF @ 25V 4400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 234nC @ 10V 220nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4057pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 234nC @ 10V -
库存与单价
库存 400 46
工厂交货期 3 - 5天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥74.2
25+ :  ¥72.08
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@28A,10V N-Channel 200V 50A TO-247AC

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