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AOD2910E  与  DMNH10H028SK3-13  区别

型号 AOD2910E DMNH10H028SK3-13
唯样编号 A-AOD2910E A-DMNH10H028SK3-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 6.3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@20A,10V -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 33mΩ -
Qgd(nC) 2.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2245 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) 7 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 37A 55A(Tc)
工作温度 -55℃~175℃ -55℃~175℃(TJ)
Ciss(pF) 1200 -
Trr(ns) 25 -
Td(off)(ns) 20 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 71.5W 2W(Ta)
Qrr(nC) 120 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@20A,10V
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 10V
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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