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AOB2606L  与  AUIRF3808S  区别

型号 AOB2606L AUIRF3808S
唯样编号 A-AOB2606L A-AUIRF3808S
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16.8 -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.2mΩ@10V 7mΩ
ESD Diode No -
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 5 -
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-263 -
连续漏极电流Id 72A 106A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4050 -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 4.83mm
Trr(ns) 26 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 68 ns
Td(off)(ns) 33 -
漏源极电压Vds 60V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 115W 200W
Qrr(nC) 125 -
晶体管配置 -
VGS(th) 3.5 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
Coss(pF) 345 -
Qg*(nC) 22 Ohms -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB2606L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK966R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
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400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 对比

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