| 制造商编号 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|
| 商品别名 | 2N7002 H6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-2N7002H6327XTSA2 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 300mA(Ta) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3 欧姆 @ 500mA,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 20pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.6nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：110 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2N7002H6327XTSA2 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2N7002 H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4719
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24,087 | 当前型号 | ||||||||
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DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.3705
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609 | 对比 | ||||||||
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|
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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