| 制造商编号 | IMBF170R450M1 |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A3-IMBF170R450M1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET
Silicon Carbide MOSFET
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | PG-TO263-7-13 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 107W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 450mΩ@2A,15V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | +20V，-10V | |
| 漏源极电压Vds | 1700V | |
| 连续漏极电流Id | 9.8A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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