制造商编号 | IMBF170R650M1 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A3-IMBF170R650M1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET
Silicon Carbide MOSFET
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | PG-TO263-7 | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 88W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 650mΩ@1.5A,15V | |
工作温度 | -55°C~175°C | |
栅极电压Vgs | +20V,-10V | |
漏源极电压Vds | 1700V | |
连续漏极电流Id | 7.4A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期: 3天-15天 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3400A | 36,000 |
SLF8N65SV | 20,000 |
AON7544 | 20,000 |
NCE609 | 20,000 |
JMSL0602AG-13 | 15,000 |