制造商编号 | BAV70E6327HTSA1 |
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商品别名 | BAV 70 E6327 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A32-BAV70E6327HTSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 否 |
描述 |
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 整流二极管 | |
不同If时电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA | |
不同Vr时电流-反向泄漏 | 150nA @ 70V | |
二极管类型 | 标准 | |
二极管配置 | 1 对共阴极 | |
反向恢复时间(trr) | 4ns | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
工作温度-结 | 150°C(最大) | |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 80V | |
电流-平均整流(Io)(每二极管) | 200mA(DC) | |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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1+ | ¥0.3208 |
25+ | ¥0.2863 |
500+ | ¥0.2634 |
1,000+ | ¥0.2352 |
整包(请按3000的倍数下单) |
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3,000+ | ¥0.21 |
6,000+ | ¥0.1974 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 1120
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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BAV99W_R1_00001 | 162,000 |
GS1010FLAU | 126,000 |
M7 | 105,000 |
FM407 | 90,000 |
PMEG120G20ELRX | 30,633 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BAV70E6327HTSA1 | Infineon | 数据手册 | 整流二极管 |
BAV 70 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
¥0.3208
|
9,000 | 当前型号 | |||||||||||||||
BAV70,215 | Nexperia | 数据手册 | 开关二极管 |
BAV70_ |
¥0.0975
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167,793 | 对比 | |||||||||||||||
DAN202KT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 开关二极管 |
SOT-346 |
¥0.6762
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144,000 | 对比 | |||||||||||||||
BAV74,215 | Nexperia | 数据手册 | 整流二极管 |
BAV74_SOT-23 |
¥0.231
|
35,593 | 对比 | |||||||||||||||
DAN202KT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 开关二极管 |
SOT-346 |
¥0.8261
|
16,606 | 对比 | |||||||||||||||
BAV74,215 | Nexperia | 数据手册 | 整流二极管 |
BAV74_SOT-23 |
¥0.223
|
15,387 | 对比 |