制造商编号 | BSC052N08NS5 |
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商品别名 | BSC052N08NS5ATMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A3-BSC052N08NS5 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
系列:OptiMOS™
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.2mΩ@47.5A,10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 80V | |
连续漏极电流Id | 95A | |
系列 | OptiMOS™ |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期: 3天-15天 |
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提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |