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功率MOSFET   8-PowerTDFN

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制造商编号 DMT10H015LPS-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMT10H015LPS-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.3A(Ta),44A(Tc) 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:16 毫欧 @ 20A,10V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 7.3A(Ta),44A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.3nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1871pF @ 50V
功率 1.3W(Ta), 46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 16 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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