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过滤结果 : 3456

封装/外壳

功率耗散Pd

晶体管类型

集电极-发射极最大电压VCEO

集电极连续电流

集电极-射极饱和电压

直流电流增益hFE

特征频率fT

产品特性

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描述
关键参数
单价(含税)
库存
UMT1NTN
自营
通用三极管

UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363

量产中

封装/外壳 : SOT-363

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -150mA

集电极-射极饱和电压 : -500mV

直流电流增益hFE : 120

特征频率fT : 140MHz

找替代
1+:¥0.9954
100+:¥0.5315
3,000+:¥0.3843

库存:8,694

MPQ:3,000

交期:3天-5天

DTB143EKT146
自营
通用三极管

DTB143EK Series 50 V 500 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-59

量产中

封装/外壳 : SOT-346

功率耗散Pd : 200mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -500mA

集电极-射极饱和电压 : -300mV

直流电流增益hFE : 47

特征频率fT : 200MHz

找替代
1+:¥1.5660
100+:¥0.8362
3,000+:¥0.6046

库存:5,975

MPQ:3,000

交期:3天-5天

2SCR543RTL
自营
通用三极管

SOT-346T 500mW NPN 50V 3A 350mV 180 300MHz

量产中

封装/外壳 : SOT-346T

功率耗散Pd : 500mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 3A

集电极-射极饱和电压 : 350mV

直流电流增益hFE : 180

特征频率fT : 300MHz

1+:¥3.7287
100+:¥2.3126
1,000+:¥1.4274
3,000+:¥1.0320

库存:5,900

MPQ:3,000

交期:3天-5天

2SAR514RHZGTL
自营
通用三极管

PNP, SOT-346T, -80V -0.7A, Middle Power Transistor

量产中

封装/外壳 : SOT-346T

功率耗散Pd : 500mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -80V

集电极连续电流 : -0.7A

集电极-射极饱和电压 : -400mV

直流电流增益hFE : 120

特征频率fT : 380MHz

1+:¥3.9971
1,000+:¥2.0465
3,000+:¥1.4530

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

2SCR513RHZGTL
自营
通用三极管

NPN, SOT-346T, 50V 1A, Middle Power Transistor

量产中

封装/外壳 : SOT-346T

功率耗散Pd : 500mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 1A

集电极-射极饱和电压 : 350mV

直流电流增益hFE : 180

特征频率fT : 360MHz

产品特性 : 车规

找替代
1+:¥5.3716
100+:¥2.9329
3,000+:¥1.2105

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

2SCR514RHZGTL
自营
通用三极管

NPN, SOT-346T, 80V 0.7A, Middle Power Transistor

量产中

封装/外壳 : SOT-346T

功率耗散Pd : 500mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 80V

集电极连续电流 : 700mA

集电极-射极饱和电压 : 300mV

直流电流增益hFE : 120

特征频率fT : 320MHz

产品特性 : 车规

1+:¥5.9130
100+:¥3.2285
3,000+:¥1.3325

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -30V

集电极连续电流 : -500mA

集电极-射极饱和电压 : -400mV

直流电流增益hFE : 200

特征频率fT : 520MHz

产品特性 : 车规

找替代
1+:¥1.5864
1,000+:¥0.8122
3,000+:¥0.5767

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥1.0576
1,000+:¥0.5415
3,000+:¥0.3845

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

NPN, SOT-416, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

BC847CHZGT116
自营
通用三极管

NPN, SOT-23, 45V 100mA, General Purpose Transistor for Automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-23

功率耗散Pd : 200mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 45V

集电极连续电流 : 100mA

集电极-射极饱和电压 : 400mV

直流电流增益hFE : 420

特征频率fT : 300MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.7930
1,000+:¥0.4060
3,000+:¥0.2883

库存:3,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, R1≠R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V

集电极连续电流 : -100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.9107
1,000+:¥0.4663
3,000+:¥0.3311

库存:2,980

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : 50V

集电极连续电流 : 100mA

特征频率fT : 250MHz

产品特性 : 车规

1+:¥0.8519
1,000+:¥0.4362
3,000+:¥0.3097

库存:2,900

MPQ:3,000

交期:3天-5天

IMD10AT108
自营
通用三极管

IMD10A Series 50 V 500 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74

量产中

封装/外壳 : SOT-457

功率耗散Pd : 300mW

晶体管类型 : PNP/NPN

集电极-发射极最大电压VCEO : -50V,50V

集电极连续电流 : -500mA,100mA

集电极-射极饱和电压 : -300mV,300mV

直流电流增益hFE : 68,100

特征频率fT : 200MHz,250MHz

找替代
1+:¥2.8819
100+:¥1.6658
1,500+:¥1.0561
3,000+:¥0.7636

库存:2,900

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用三极管

PNP, SOT-416, -12V -500mA, Low frequency transistor for Automotive

量产中

封装/外壳 : SOT-416

功率耗散Pd : 150mW

晶体管类型 : PNP

集电极-发射极最大电压VCEO : -12V

集电极连续电流 : -500mA

集电极-射极饱和电压 : -250mV

直流电流增益hFE : 270

特征频率fT : 260MHz

产品特性 : 车规

1+:¥1.7039
1,000+:¥0.8724
3,000+:¥0.6194

库存:2,740

MPQ:3,000

交期:3天-5天

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