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品牌介绍

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商,AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的功率PowerMOSFET, IGBT, IPM, HVIC, PowerIC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识,涵盖功率半导体行业的最新进展,使我们能够引入创新产品,以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。通过集成其分立器件和IC半导体工艺、产品设计和先进的封装技术来开发高性能电源管理解决方案,AOS在竞争中显示出自身的特色。其产品组合面向大批量应用,包括便携式电脑、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。

3550 1/178
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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
AON7544
自营
功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 20V 30V 30A 23W 5mΩ@10V

封装/外壳 : DFN 3x3 EP

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 23W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5mΩ@10V

找替代
1+:¥1.3333
100+:¥1.0612
1,000+:¥0.7647
2,500+:¥0.6582
5,000+:¥0.5200

库存:13,283

MPQ:5,000

交期:3天-5天

AONR66406
自营
功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel -55°C~150°C ±20V 40V 30A 27W 6.1mΩ@20A,10V

封装/外壳 : DFN 3x3 EP

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 30A

Pd-功率耗散(Max) : 27W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 6.1mΩ@20A,10V

找替代

库存:8,585

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

AOD407
自营
功率MOSFET

TO-252 P-Channel -55°C~175°C 20V -60V -12A 50W 115mΩ@12A,10V

封装/外壳 : TO-252

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~175°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : -60V

连续漏极电流Id : -12A

Pd-功率耗散(Max) : 50W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 115mΩ@12A,10V

找替代
1+:¥5.6400
100+:¥4.1778
1,000+:¥3.1333
2,500+:¥2.2560

库存:8,493

MPQ:2,500

交期:3天-5天

AOC3860A
自营
功率MOSFET

AlphaDFN3.05x1.77A N-Channel 8V 12V 25A 2.5W 3.5mΩ@4.5V

封装/外壳 : AlphaDFN3.05x1.77A

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 8V

漏源极电压Vds : 12V

连续漏极电流Id : 25A

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.5mΩ@4.5V

找替代
1+:¥3.0769
100+:¥2.4490
1,000+:¥1.7647
4,000+:¥1.5190
8,000+:¥1.2000

库存:8,000

MPQ:8,000

交期:3天-5天

AOCA24108E
自营
功率MOSFET

AlphaDFN1.79x1.18 N-Channel -55℃~150℃ ±8V 12V 14A 2.2W 7.5mΩ@4A,4.5V

封装/外壳 : AlphaDFN1.79x1.18

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : 12V

连续漏极电流Id : 14A

Pd-功率耗散(Max) : 2.2W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 7.5mΩ@4A,4.5V

找替代
1+:¥2.0000
100+:¥1.5918
1,000+:¥1.1471
4,000+:¥0.9873
8,000+:¥0.7800

库存:7,989

MPQ:8,000

交期:3天-5天

AOCA24106E
自营
功率MOSFET

AlphaDFN1.9x1.6 N-Channel 8V 12V 20A 2.7W 5.6mΩ@4.5V

封装/外壳 : AlphaDFN1.9x1.6

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 8V

漏源极电压Vds : 12V

连续漏极电流Id : 20A

Pd-功率耗散(Max) : 2.7W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5.6mΩ@4.5V

找替代
1+:¥5.0769
100+:¥4.0408
1,000+:¥2.9118
4,000+:¥2.5063
8,000+:¥1.9800

库存:7,881

MPQ:8,000

交期:3天-5天

AO3400A
自营
功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 12V 30V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V

封装/外壳 : SOT23-3

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 12V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 5.7A

Pd-功率耗散(Max) : 1.4W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 26.5mΩ@10V

找替代
1+:¥2.0690
100+:¥1.5000
1,000+:¥1.1111
1,500+:¥0.8333
3,000+:¥0.6000

库存:6,497

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AO3401A
自营
功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel 12V -30V -4A 1.4W 50mΩ@10V

封装/外壳 : SOT23-3

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : 12V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4A

Pd-功率耗散(Max) : 1.4W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 50mΩ@10V

找替代
1+:¥1.9986
100+:¥1.4490
1,000+:¥1.0733
1,500+:¥0.8050
3,000+:¥0.6279

库存:6,045

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AOK40B65H2AL
自营
IGBT晶体管

TO-247-3 260W -55°C ~ 150°C(TJ)

封装/外壳 : TO-247-3

功率 : 260W

工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)

库存:6,000

客服询价

MPQ:240

交期:3天-5天

AOZ8231ADI-05
自营
TVS二极管

2-DFN(1x0.6) 5V(最大) 5.5V 15.5V 5A(8/20µs) -40°C ~ 125°C (TJ) 双向

封装/外壳 : 2-DFN(1x0.6)

反向工作电压Vrwm : 5V(最大)

反向击穿电压Vbr : 5.5V

钳位电压Vc : 15.5V

峰值脉冲电流Ipp : 5A(8/20µs)

工作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)

产品特性 : 双向

找替代

库存:6,000

客服询价

MPQ:10,000

交期:3天-5天

AONS34356C
自营
功率MOSFET

DFN 5x6-8

封装/外壳 : DFN 5x6-8

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AON6220
自营
功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 20V 100V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V

封装/外壳 : DFN 5x6

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 48A

Pd-功率耗散(Max) : 113.5W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 6.2mΩ@10V

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AONS66940
自营
功率MOSFET

DFN5060-8 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 100V 48A 10.7mΩ@20A,4.5V 56.5W

封装/外壳 : DFN5060-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 48A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 10.7mΩ@20A,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 56.5W

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AOD2810
自营
功率MOSFET

TO-252 N-Channel -55℃~175℃ ±20V 80V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V

封装/外壳 : TO-252

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 46A

Pd-功率耗散(Max) : 100W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 8.5mΩ@20A,10V

找替代

库存:6,000

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-5天

AOZ8802ADI
自营
TVS二极管

DFN6 5V(最大) 12A(100ns) -40°C ~ 125°C (TJ) Array

封装/外壳 : DFN6

反向工作电压Vrwm : 5V(最大)

峰值脉冲电流Ipp : 12A(100ns)

工作温度 : -40°C ~ 125°C (TJ)

产品特性 : Array

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AOB66920L
自营
功率MOSFET

TO-263 N-Channel 20V 100V 80A 100W 8mΩ@10V

封装/外壳 : TO-263

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 80A

Pd-功率耗散(Max) : 100W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 8mΩ@10V

库存:6,000

客服询价

MPQ:800

交期:3天-5天

AONR20485
自营
功率MOSFET

DFN3x3_EP P-Channel -55℃~150℃ ±20V -40V -34A 69W 15mΩ@-13A,-10V

封装/外壳 : DFN3x3_EP

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -40V

连续漏极电流Id : -34A

Pd-功率耗散(Max) : 69W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 15mΩ@-13A,-10V

库存:6,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

AONS34362C
自营

-

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AONS62604
自营
功率MOSFET

DFN5X6 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 60V 100A 2.5mΩ@20A,10V 119W

封装/外壳 : DFN5X6

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.5mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 119W

库存:6,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

AON7264E
自营
功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel -55°C~150°C ±20V 60V 28A 27.5W 9.5mΩ@17A,10V

封装/外壳 : DFN 3x3 EP

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 28A

Pd-功率耗散(Max) : 27.5W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 9.5mΩ@17A,10V

找替代

库存:6,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

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