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品牌介绍

乐山无线电股份有限公司(简称LRC)位于中国西部大开发中心地带的历史文化名城——四 川乐山,创建于1970年,是以半导体分立器件为主产品的综合性电子企业。在改革开放中,经过多年艰苦奋斗,工厂持续快速发展壮大成为拥有多个独资和合资公司的集团企业。集团获得首届中国市场消费商品质量信誉竞争力评比“同行业十佳品牌”,中国技术监督情报协会“中国质量过硬放心品牌”,中国半导体行业协会“2010年中国十大封装测试企业”,生产线通过ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和QC080000标准体系认证,产品符合RoHS等有害物资管理法律法规要求。

7178 1/359
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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
ESD抑制器

DFN0603-DL 5V 6V 20V 4A

封装/外壳 : DFN0603-DL

反向工作电压Vrwm : 5V

反向击穿电压Vbr : 6V

钳位电压Vc : 20V

峰值脉冲电流Ipp : 4A

找替代
1+:¥0.1989
100+:¥0.1507
1,000+:¥0.1142
7,500+:¥0.0936
15,000+:¥0.0814

库存:88,043

MPQ:15,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

DFN0603-DL 3.3V 5V 10V 6A -55°C~150°C

封装/外壳 : DFN0603-DL

反向工作电压Vrwm : 3.3V

反向击穿电压Vbr : 5V

钳位电压Vc : 10V

峰值脉冲电流Ipp : 6A

工作温度 : -55°C~150°C

1+:¥0.1336
100+:¥0.1012
1,000+:¥0.0767
7,500+:¥0.0629
15,000+:¥0.0547

库存:85,526

MPQ:15,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

DFN0603-DL 5V 5.6V 12.5V 5.5A -55°C~150°C

封装/外壳 : DFN0603-DL

反向工作电压Vrwm : 5V

反向击穿电压Vbr : 5.6V

钳位电压Vc : 12.5V

峰值脉冲电流Ipp : 5.5A

工作温度 : -55°C~150°C

1+:¥0.1423
100+:¥0.1078
1,000+:¥0.0817
7,500+:¥0.0670
15,000+:¥0.0583

库存:75,040

MPQ:15,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

DFN0603-DL 4.8V 3.3V 9V 10A -55℃~150℃

封装/外壳 : DFN0603-DL

反向击穿电压Vbr : 4.8V

反向工作电压Vrwm : 3.3V

钳位电压Vc : 9V

峰值脉冲电流Ipp : 10A

工作温度 : -55℃~150℃

3,570+:¥0.0704
7,500+:¥0.0577
15,000+:¥0.0502

库存:75,000

MPQ:15,000

交期:3天-5天

LESD11D12CT5G
自营
ESD抑制器

Vrwm:12V,Vc:24V

封装/外壳 : DFN0603-DL

反向工作电压Vrwm : 12V

反向击穿电压Vbr : 13.3V

钳位电压Vc : 24V

峰值脉冲电流Ipp : 4A

3,570+:¥0.1085
7,500+:¥0.0889
15,000+:¥0.0773

库存:75,000

MPQ:15,000

交期:3天-5天

LMP22D5N3T5G
自营
功率MOSFET

SOT-883 P-Channel -55℃~150℃ ±8V -20V -0.7A 600mΩ@-0.2A,-1.8V 0.35W

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : -20V

连续漏极电流Id : -0.7A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 600mΩ@-0.2A,-1.8V

Pd-功率耗散(Max) : 0.35W

100+:¥0.2175
1,000+:¥0.1403
5,000+:¥0.1039
10,000+:¥0.0866

库存:58,080

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LSI1012N3T5G
自营
通用MOSFET

SOT-883 N-Channel -55°C~150℃ ±6V 20V 500mA 250mW 850mΩ@500mA,2.5V

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±6V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 500mA

Pd-功率耗散(Max) : 250mW

Rds On(Max)@Id,Vgs : 850mΩ@500mA,2.5V

1+:¥0.2479
100+:¥0.1878
1,000+:¥0.1423
5,000+:¥0.1166
10,000+:¥0.1014

库存:57,850

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LNZ8F5V6T5G
自营
稳压(齐纳)二极管

SOD-882 5.6V 200mW 60 Ohms 1uA @ 2.5V -65℃~+150℃

封装/外壳 : SOD-882

齐纳电压Vz : 5.6V

功率 : 200mW

齐纳阻抗Zzt : 60 Ohms

反向漏电流Ir : 1uA @ 2.5V

工作温度 : -65℃~+150℃

1+:¥0.1798
100+:¥0.1362
1,000+:¥0.1032
5,000+:¥0.0846
10,000+:¥0.0736

库存:55,460

MPQ:10,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

SOD-882 7V 7.2V 16V 5A

封装/外壳 : SOD-882

反向工作电压Vrwm : 7V

反向击穿电压Vbr : 7.2V

钳位电压Vc : 16V

峰值脉冲电流Ipp : 5A

1+:¥0.1026
100+:¥0.0777
1,000+:¥0.0589
5,000+:¥0.0483
10,000+:¥0.0420

库存:54,483

MPQ:10,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

SOD-882 24V 24.5V 45V 1.5A -55°C~150°C 车规

封装/外壳 : SOD-882

反向工作电压Vrwm : 24V

反向击穿电压Vbr : 24.5V

钳位电压Vc : 45V

峰值脉冲电流Ipp : 1.5A

工作温度 : -55°C~150°C

产品特性 : 车规

100+:¥0.5200
1,000+:¥0.3355
5,000+:¥0.2485
10,000+:¥0.2071

库存:52,730

MPQ:10,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

SOD-882 3.3V 5V 10V 6A -55°C~150°C

封装/外壳 : SOD-882

反向工作电压Vrwm : 3.3V

反向击穿电压Vbr : 5V

钳位电压Vc : 10V

峰值脉冲电流Ipp : 6A

工作温度 : -55°C~150°C

1+:¥0.0731
100+:¥0.0554
1,000+:¥0.0420
5,000+:¥0.0344
10,000+:¥0.0299

库存:51,454

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LESD8H12CT5G
自营

-

100+:¥0.3235
1,000+:¥0.2087
5,000+:¥0.1546
10,000+:¥0.1288

库存:51,100

MPQ:10,000

交期:3天-5天

SBD肖特基二极管

SOD-882 3A 30V 30V 500mA 540mV 100uA -65℃~150℃

封装/外壳 : SOD-882

正向浪涌电流Ifsm : 3A

反向峰值电压Vrrm : 30V

反向电压Vr : 30V

正向电流If : 500mA

正向电压Vf : 540mV

反向漏电流Ir : 100uA

工作温度 : -65℃~150℃

1+:¥0.2685
100+:¥0.2034
1,000+:¥0.1541
5,000+:¥0.1263
10,000+:¥0.1098

库存:50,935

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LN235N3T5G
自营
通用MOSFET

SOT-883 N-Channel(ESD) -55℃~150℃ ±12V 30V 0.93A 460mΩ@200mA,4.5V 715mW

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : N-Channel(ESD)

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 0.93A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 460mΩ@200mA,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 715mW

1+:¥0.2232
100+:¥0.1691
1,000+:¥0.1281
5,000+:¥0.1050
10,000+:¥0.0913

库存:50,599

MPQ:10,000

交期:3天-5天

SBD肖特基二极管

SOD-882 500mA 30V 30V 200mA 500mV 30uA -40℃~125℃

封装/外壳 : SOD-882

正向浪涌电流Ifsm : 500mA

反向峰值电压Vrrm : 30V

反向电压Vr : 30V

正向电流If : 200mA

正向电压Vf : 500mV

反向漏电流Ir : 30uA

工作温度 : -40℃~125℃

1+:¥0.1791
100+:¥0.1357
1,000+:¥0.1028
5,000+:¥0.0843
10,000+:¥0.0733

库存:50,300

MPQ:10,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

SOD-882 4.8V 9V 4.5V 35A -55℃~125℃

封装/外壳 : SOD-882

反向击穿电压Vbr : 4.8V

钳位电压Vc : 9V

反向工作电压Vrwm : 4.5V

峰值脉冲电流Ipp : 35A

工作温度 : -55℃~125℃

1+:¥0.1481
100+:¥0.1122
1,000+:¥0.0850
5,000+:¥0.0697
10,000+:¥0.0606

库存:50,280

MPQ:10,000

交期:3天-5天

ESD抑制器

SOD-882 5V 6V 20V 4A

封装/外壳 : SOD-882

反向工作电压Vrwm : 5V

反向击穿电压Vbr : 6V

钳位电压Vc : 20V

峰值脉冲电流Ipp : 4A

1+:¥0.1370
100+:¥0.1038
1,000+:¥0.0786
5,000+:¥0.0644
10,000+:¥0.0560

库存:50,165

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LR6231B33F
自营

-

库存:50,100

客服询价

MPQ:10,000

交期:3天-5天

SBD肖特基二极管

DFN1608-2 5A 40V 40V 1A 600mV 20uA -40°C~150°C 车规

封装/外壳 : DFN1608-2

正向浪涌电流Ifsm : 5A

反向峰值电压Vrrm : 40V

反向电压Vr : 40V

正向电流If : 1A

正向电压Vf : 600mV

反向漏电流Ir : 20uA

工作温度 : -40°C~150°C

产品特性 : 车规

2,060+:¥0.2917
5,000+:¥0.2161
10,000+:¥0.1801

库存:50,090

MPQ:10,000

交期:3天-5天

LMN2500N3T5G
自营
小信号MOSFET

SOT-883 N-Channel -55°C~150℃ ±6V 20V 1A 400mΩ@600mA,4.5V 950mW

封装/外壳 : SOT-883

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±6V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 1A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 400mΩ@600mA,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 950mW

2,060+:¥0.1234
5,000+:¥0.0914
10,000+:¥0.0762

库存:50,068

MPQ:10,000

交期:3天-5天

图像仅供参考 请参阅产品规格
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